ESD与EOS知识速递
静电释放（ESD）与过电应力（EOS）
ESD，全称为Electrostatic Stress Discharge，中文译名为静电释放。是静电从一个物体突然的，自发的传递到另一个电位不同的物体的过程。它是一个高电压(1kv~10kv)瞬时(1ns~100ns)及高电流(1~10Amps)的活动。产生的微焦耳级的能量可以造成硅熔化及氧化层击穿等失效模式。
ESD大小对产品的破坏程度损伤图示变化图（从小到大）
EOS，全称为Electrostatic Over Stress，中文译名为过电应力。过电应力是物体暴露在电流或电压超出其最大上限值的过程，产生的能量是ESD产生能量的几倍数量级，可以造成大范围的硅熔化及氧化层击穿及金属熔化等失效模式。
失效机理
1）产生原理
| ESD | EOS |
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a.由于物理的接触而带电; b. 感应起电; c.摩擦生电; d.人体静电。 |
a.电源(AC/DC) 干扰、过电压; b.由于测试程序切换导致的瞬变电流、峰值、低频干扰; c.闪电; d.测试程序开关引起的瞬态脉冲干扰; e.测试设计欠佳或工作流程不合理; f.其它设备的脉冲信号干扰; g.由于接地点不够导致电流快速转换引起高电压。 |
2） EDS和EOS主要失效模型对比
特征区分
| ESD | EOS |
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1、失效集中在小区域； 2、一般不会造成多个元件损伤； 3、损伤现象在相同芯片中出现是随机的。 4、若损伤集中于一点，范围通常较小； 5、可见性不强，损坏位置不易发现； 6、通常导致电晶体级别的损坏。 |
1、大片区域的失效； 2、短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏； 3、可扩散成大片熔化区域，导致多层损伤， 且可能会有多种损伤同时发生； 4、损坏现象较明显，包括金属线熔化、发热、高功率、闩锁效应， 甚至造成产品塑封体损伤，如塑封树脂炭化。 |
ESD典型图示
EOS典型图示
