石英晶体网络分析仪
| 测试物料：无源标准封装晶体振荡器、陶瓷谐振器 目前设备可测试的封装： 插件、贴片：SMD2025、SMD2016、SMD5032、SMD3225、SMD3215、SMD7015、SMD2012、HC-49SMD 可测试参数： 通常关注的参数： FL:负载频率在某一个负载下的谐振频率和频偏。 CO:静电容 DLD2:不同激励功率下的最大与最小的阻抗差值 FR:晶体本身的谐振频率 Q:品质因子 RR:谐振阻抗 TS:负载电容，每变化1pf时FL的变化量 可测试其余参数： BT:晶片厚度 CO/C1：电容比 C1:动态电容 DFL:两个特定负载电容间的负载频率差值 DLD1:不同激励功率下之阻抗比 DLD3:不同激励功率下之第一个设定功率与最后一个设定功率的阻抗差值 DLD4:不同激励功率下最大阻抗与一般功率之下谐振点阻抗之比 DLD5:不同激励功率下的起始阻抗与最终阻抗之比 DLD6:不同激励功率下的最大阻抗与最小阻抗之比 DLD7:不同激励功率下最大功率与最小功率的差值占最大阻值下驱动功率的百分比 DLDH:不同激励功率下的磁滞现象最大阻抗与最小阻抗之比 DLDHP:不同激励功率下磁滞现象的最差（最大阻抗/最小阻抗）之功率 DLDF:不同激励功率下，在指定某一激励功率的频率 DLDP: 不同激励功率下,在指定某一激励功率的功率输出 DLDR: 不同激励功率下,在指定某一激励功率的阻抗 FC: FR 除以一指定数 FDLD: 不同激励功率下之最大与最小FR 之差值 FDLDH: 不同激励功率下之磁滞现象最大与最小FR之差值 FFM: 参考频率与实际频率之差值 FLR：负载频率与串联谐振频率之差值 FRM: 特定谐振频率的阻抗值 FRR:于特定谐振频率的阻抗值与一般功率之下谐振点阻抗之比 I:晶体在谐振时,流过晶体的电流值 L: 动态电感 LFR:不同激励功率下之最后一个功率量测时的FR 值 LRR:不同激励功率下之最后一个功率量测时的Rr 值 PWR:功率 RAWF:未经修正的谐振频率 RFOUT:的输出准位 RL:有负载电容之下在谐振点时,晶体加电容所呈现的阻抗 RLD:不同激励功率下最大的Rr 值与一般功率量测时Rr 值的差 RLD2:不同激励功率下之最大Rr 值 RLD3:不同激励功率下之最小Rr 值 RR:谐振阻抗 SPFR:串联谐振寄生振荡频率(现具备同时量测泛音并计算与基频差值之功能) SPFL:负载寄生振荡频率 SPDB:以12.5 欧姆测试座量测时, 寄生振荡相较于主振点之位准差 SPRL: 最大负载谐振寄生振荡阻坑 参数之外的能力： 1、软件可自动判别每个参数是否合格的能力，直接输出EXCEL表格。 2、软件能显示各测试项的分布图，DLD扫描或寄生扫描曲线。 |
设备可测试频率范围：15KHz～220MHz 频率比对精度： 串联谐振：±1ppm。 晶体功率：100pW～1000uW(1MHz～50MHz),1nW~500uW(>50MHz) 信号通道：A,B双信号通道测量。 3种测量方式：计算法、模拟法、实体电容法 |
